Please use this identifier to cite or link to this item: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6010
Title: Дослідження оптичних властивостей шаруватих кристалів Tl1-xIn1-xSixSe2
Other Titles: The Study of Optical Properties of Layered Crystals Tl1-xIn1-xSixSe2
Authors: Кажукаускас, Вайдотас
Мирончук, Галина
Замуруєва, Оксана
Парасюк, Олег
Шаварова, Ганна
Богданюк, Микола
Kazhukauskas, Vajdotas
Mуronchuk, Galyna
Zamurueva, Oksana
Parasyuk, Oleg
Shavarova, Anna
Bogdanyuk, Nicholas
Bibliographic description (Ukraine): Дослідження оптичних властивостей шаруватих кристалів Ti1-xIn1-xSixSe2 / В. Кажукаускас, Г. Мирончук, О. Замуруєва [та ін.] // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 26 (275). – С. 32-39. – Бібліогр.: с. 37-38.
Issue Date: 2013
Date of entry: 25-Jun-2015
Publisher: Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки
Keywords: шарувата кристалічна структура
енергія Урбаха
параметр крутизни
chalcogenide crystals
layered crystal structure
optical properties
Urbach energy
Abstract: У нашій роботі розглянуто закономірності зміни оптичних спектрів поглинання в кристалах твердих розчинів Tl1-xIn1-xSixSe2 (х=0,1; 0,2) з температурою. Оцінено ширину забороненої зони при непрямих gi E і прямих gd E дозволених переходах. Розраховано енергію Урбаха та параметр крутизни краю оптичного поглинання досліджуваних монокристалів Tl1-xIn1-xSixSe2 за різних температур.; From the study of optical absorption spectra of layered Tl1-xIn1-xSixSe2 solid solutions (х=0.1; 0.2) the band energy gap for direct gi E and undirect gd E allowed transitions, the Urbach energy and steepness parameter at 100-300 K have been estimated. The increase of SiSe2 content leads to the increase of donor centers (In3+ ions are submitted by Sі4+ ions) and acceptors ( Tl V ) concentrations and favors the increase of the ionicity bonding degree, decrease of lattice parameters and, as a result, to the enhancement of gi E and gd E . The Urbach energy increases with temperature and varies within 48-58 meV for х=0.1 and 90-96 meV for х=0.2. The increase of Urbach energy with x may be explained by the increase of the concentration of structural defects and unstoichiometricity. The temperature dependences of steepness parameter (from 0.179 at 100K to 0.445 at 300K for х=0.1 and from 0.096 at 100K to 0.269 at 300K for х=0.2) are related to the contribution of structural defects due to heterovalent ions substitution and layered structure and of electron-phonon interaction to the forming of absorption edge.
URI: http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/6010
Content type: Article
Appears in Collections:Серія "Фізичні науки", 2013, № 26 (265)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
6.pdf2,55 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.