Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5288
Назва: | Особливості оптичних властивостей халькогенідних стекол та сильно дефектних монокристалічних халькогенідних сполук групи AIIBVI |
Інші назви: | Features of the Optical Properties of Chalcogenide Glasses and Highly Defective Monocrystalline Chalcogenide Compounds AIIBVI |
Автори: | Кевшин, Андрій Kevshyn, Andriy |
Бібліографічний опис: | Кевшин, А. Особливості оптичних властивостей халькогенідних стекол та сильно дефектних монокристалічних халькогенідних сполук групи А2В6 / А. Кевшин // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 2 (251). – С. 35-40. – Бібліогр.: с. 39-40. |
Дата публікації: | 2013 |
Дата внесення: | 9-чер-2015 |
Видавництво: | Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки |
Теми: | склоподібні сплави оптичне поглинання правило Урбаха glassy alloys optical absorption Urbach’s rule |
Короткий огляд (реферат): | У статті досліджено особливості оптичних властивостей халькогенідних стекол та сильно дефектних монокристалічних халькогенідних сполук AIIBVI. Показано, що, незважаючи на різну природу порушення періодичності потенціальної енергії електрона в дефектних кристалічних тілах і стеклах, характер оптичних електронних переходів у ділянці власного поглинання світла однаковий, про що свідчить виконання правила Урбаха для цих двох систем.; In this paper investigation of peculiarities of the optical properties of chalcogenide glasses and highly defective monocrystalline chalcogenide compounds AIIBVI which include CdS irradiated with fast reactor neutrons is presented. It has been shown that despite the different nature of the disruption of periodicity of the potential energy of electron in defective crystalline solids and glasses, character of optical electronic transitions in the intrinsic absorption region is the same, as evidenced by the realization of Urbach's rule for these two systems. However, in the glassy substances characteristic energy, which determines the blur and the slope of the absorption edge is independent of temperature, whereas it increases with increasing temperature for the defective crystals (~7•10-5 eV/K for CdS irradiated with neutrons, dose of ≈3•1018 cm-2). This increase is due to the additional ionization of the defect centers and thus the change of value of the random electric field and the associated potential in the defective crystalline semiconductors. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5288 |
Тип вмісту: | Article |
Розташовується у зібраннях: | Серія "Фізичні науки", 2013, № 2 (251) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
6.pdf | 1,89 MB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.