Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5288
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorКевшин, Андрій-
dc.contributor.authorKevshyn, Andriy-
dc.date.accessioned2015-06-09T18:27:23Z-
dc.date.available2015-06-09T18:27:23Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationКевшин, А. Особливості оптичних властивостей халькогенідних стекол та сильно дефектних монокристалічних халькогенідних сполук групи А2В6 / А. Кевшин // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 2 (251). – С. 35-40. – Бібліогр.: с. 39-40.uk_UK
dc.identifier.otherУДК 621.315.592-
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5288-
dc.description.abstractУ статті досліджено особливості оптичних властивостей халькогенідних стекол та сильно дефектних монокристалічних халькогенідних сполук AIIBVI. Показано, що, незважаючи на різну природу порушення періодичності потенціальної енергії електрона в дефектних кристалічних тілах і стеклах, характер оптичних електронних переходів у ділянці власного поглинання світла однаковий, про що свідчить виконання правила Урбаха для цих двох систем.; In this paper investigation of peculiarities of the optical properties of chalcogenide glasses and highly defective monocrystalline chalcogenide compounds AIIBVI which include CdS irradiated with fast reactor neutrons is presented. It has been shown that despite the different nature of the disruption of periodicity of the potential energy of electron in defective crystalline solids and glasses, character of optical electronic transitions in the intrinsic absorption region is the same, as evidenced by the realization of Urbach's rule for these two systems. However, in the glassy substances characteristic energy, which determines the blur and the slope of the absorption edge is independent of temperature, whereas it increases with increasing temperature for the defective crystals (~7•10-5 eV/K for CdS irradiated with neutrons, dose of ≈3•1018 cm-2). This increase is due to the additional ionization of the defect centers and thus the change of value of the random electric field and the associated potential in the defective crystalline semiconductors.uk_UK
dc.language.isoukuk_UK
dc.publisherСхідноєвропейський національний університет ім. Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectсклоподібні сплавиuk_UK
dc.subjectоптичне поглинанняuk_UK
dc.subjectправило Урбахаuk_UK
dc.subjectglassy alloysuk_UK
dc.subjectoptical absorptionuk_UK
dc.subjectUrbach’s ruleuk_UK
dc.titleОсобливості оптичних властивостей халькогенідних стекол та сильно дефектних монокристалічних халькогенідних сполук групи AIIBVIuk_UK
dc.title.alternativeFeatures of the Optical Properties of Chalcogenide Glasses and Highly Defective Monocrystalline Chalcogenide Compounds AIIBVIuk_UK
dc.typeArticleuk_UK
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2013, № 2 (251)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
6.pdf1,89 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.