Please use this identifier to cite or link to this item: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9649
Title: Фоточутливість і механізми проходження струму в поверхнево-бар’єрних структурах оксид-Cd0,96Zn0,04Te
Other Titles: The Photosensitivity and Passing Current Mechanisms of Oxide-Cd0,96Zn0,04Te Surface-barrier Structur
Authors: Новосад, Олексій
Божко, Володимир
Богданюк, Микола
Божко, Неоніла
Novosad, Oleksiy
Bozhko, Volodymyr
Bohdanyuk, Mykola
Bozhko, Neonila
Bibliographic description (Ukraine): Фоточутливість і механізми проходження струму в поверхнево-бар’єрних структурах оксидCd0,96Zn0,04Te/О. Новосад, В. Божко, М. Богданюк, Н. Божко// Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: С. А. Федосов та ін.]. – Луцьк, 2015. – № 10 (311). – С. 6-11.
Issue Date: 2015
Date of entry: 16-Jun-2016
Publisher: Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Keywords: монокристали,
поверхнево-бар’єрні структури
вольт-амперна характеристика
single crystals
surface-barrier structures
current-voltage characteristics
Abstract: Методом термічного окислення в повітряному середовищі монокристалів Cd0,96Zn0,04Te за Т=570 оС отри- мано поверхнево-бар’єрні структури оксид-Cd0,96Zn0,04Te. Досліджено їх стаціонарні вольт-амперні характерис- тики та проаналізовано механізми проходження струму. Показано, що поверхнево-бар’єрні структури оксид- Cd0,96Zn0,04Te проявляють фотовольтаїчні властивості. Особливістю спектрів фотонапруги є один вузький максимум, положення якого відповідає енергії квантів світла hυ≈1,54 еВ, а ширина на половині висоти становить ~120 меВ.; In this work photosensitive oxide-Cd0,96Zn0,04Te surface-barrier structures of Cd0,96Zn0,04Te single crystals with p-type conductivity has been produced and studied. Photosensitive surface-barrier structures were produced by heat-treatment of monocrystalline p- Cd0,96Zn0,04Te plates in the air at temperature near 570 °C for t≈40 min. The stationary current-voltage characteristics of these surface-barrier structures are studied. The current mechanisms and the photosensitivity processes of the structures are being discussed. Rectification coefficient for the best structures, at a voltage close to the cutoff voltage (U0) was ~20. For these structures, the initial portion forward of the current-voltage characteristic is described with the conventional diode equation. The reverse steady-state current-voltage characteristic of oxide-Cd0,96Zn0,04Te surfacebarrier structures follows a power law with the m≈2,6 exponent. On the spectrum of photovoltage, there is one with a narrow peak width at half height of ~ 120 meV. The energy position of the maximum the photovoltage was equal to hυ≈1,54 eV.
URI: http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9649
Content type: Article
Appears in Collections:Серія "Фізичні науки", 2015, № 10 (311)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2.pdf538,83 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.