Please use this identifier to cite or link to this item: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5394
Title: Вплив структурних дефектів технологічного походження на електричні та фотоелектричні властивості твердого розчину CuInSe2 -ZnIn2 Se 4
Other Titles: Influence of Structural Defects of Technological Origin on Electrical and Photoelectrical Properties of CuInSe2-ZnIn2 Se 4 Solid Solutions
Authors: Кажукаускас, В.
Новосад, О. В.
Божко, В. В.
Давидюк, Г. Є.
Парасюк, О. В.
Герасимик, О. Р.
Вайнорюс, Н.
Яноніс, В.
Kazukauskas, V.
Novosad, O. V.
Bozhko, V. V.
Davydyuk, H. YE.
Parasyuk, O. V.
Gerasymyk, O. R.
Vainorius, N.
Janonis, V.
Bibliographic description (Ukraine): Вплив структурних дефектів технологічного походження на електричні та фотоелектричні властивості твердого розчину CuInSe2-ZnIn2Se4 / В. Кажукауская, О. В. Новосад, В. В. Божко [та ін.] // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; редкол.: Г. Є. Давидюк [та ін.]. – Луцьк, 2012. – № 16(241) : Фізичні науки. – С. 28-34. – Бібліогр.: с. 33-34.
Issue Date: 2012
Date of entry: 11-Jun-2015
Publisher: Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Keywords: тверді розчини
дефекти
solid solutions
defects
Abstract: Тверді розчини системи CuInSe 2 –ZnIn 2 Se 4 належать до катіонодефектних матеріалів типу B II C2 III X4, у яких край смуги власного поглинання описується правилом Урбаха. Монокристали із вмістом компоненти ZnIn2 Se 4, більшим 15 моль %, є фоточутливими при низьких температурах (T≤77 K) напівпровідниками з єдиним вузьким максимумом власної фотопровідності. Температурний коефіцієнт зміни ширини забороненої зони Eg , неза-лежно від співвідношення між компонентами твердого розчину, практично однаковий і в інтервалі температур 77300 К становить ~6·10 -4 еВ/К. Особливістю низькотемпературної фотопровідності досліджуваних сполук є підвищена фоточутливість із боку більш коротких довжин хвиль від максимуму фотопровідності. Електричні властивості монокристалів CuInSe 2 –ZnIn 2 Se 4 в області існування однофазного розчину (до 20 моль % ZnIn 2 Se 4) проявляють риси дефектних невпорядкованих систем із домінуючою стрибковою про-відністю. ; Solid solutions CuInSe 2 –ZnIn 2 Se 4 belong to cationdefective B II C III 2X4 materials in which fundamental absorption edge is described by the Urbach rule. Single crystals with a content of ZnIn 2 Se 4 more then 15 mol % turned out to be photosensitive at low temperature (T≤77 K) semiconductors with a single narrow maximum of intrinsic photoconductivity. The thermal coefficient of the variations of the width of the energy gap independently of the ratio between components of the compounds at temperatures 77300 K becomes ~6·10 -4 eV/K. The pecularity of low-temperature photoconductivity of solid solutions is increased photosensitivity at shorter wavelengths from maximum of photoconductivity. Electrical properties of crystals CuInSe 2 – ZnIn 2 Se 4 in the existence of single-phase solid solution (to ~20 mol % ZnIn 2 Se 4 ) exhibit properties of defective disordered systems with dominant hopping mechanism of conductivity.
URI: http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5394
Content type: Article
Appears in Collections:Серія "Фізичні науки", 2012, № 16

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
7.pdf478,66 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.