Please use this identifier to cite or link to this item: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5287
Title: Утворення хвостів щільності електронних станів біля країв зон в опромінених швидкими нейтронами монокристалах
Other Titles: Formation of Electronic States Near the Band Edges in Single Crystals Irradiated by Fast Neutrons
Authors: Давидюк, Георгій
Мирончук, Галина
Замуруєва, Оксана
Шаварова, Ганна
Davydyuk, Georgy
Myronchuk, Galina
Zamurueva, Oksana
Shavarova, Ganna
Bibliographic description (Ukraine): Утворення хвостів щільності електронних станів біля країв зон в опромінених швидкими нейтронами монокристалах / Г. Давидюк, Г. Мирончук, О. Замуруєва, Г. Шаварова // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2013. – № 2 (251). – С. 29-34. – Бібліогр.: с. 33-34.
Issue Date: 2013
Date of entry: 9-Jun-2015
Publisher: Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки
Keywords: напівпровідники
нейтронна радіація
дефекти
рівень Фермі
хвости щільності
semiconductors
neutron radiation
defects
the Fermi level
density-of-states tails
Abstract: У дефектних (опромінених) монокристалах CdS у забороненій зоні власні оптичні переходи з дефіцитом енергії фотонів здійснюються переходами електронів і зі стелі, заповненої електронами валентної зони, через квантове тунелювання під горби потенціального рельєфу зони провідності. Менша ефективна маса електронів, порівняно з такою ж для дірок, сприяє більшій ефективності квантових переходів у хвості зони провідності, ніж це характерно для рельєфу валентної зони. Визначено протяжність хвостів щільності станів в опромінених швидкими нейтронами монокристалах CdS. ; We investigated the absorption spectra of perfect CdS crystals before and after irradiation by fast reactor neutrons with an average energy of 1 MeV with the dose 3•1018 cm-2 in the temperature range 77-300 K. The measurements showed that both before and after irradiation, the energy dependence of the absorption coefficient is well described by the Urbach rule. The characteristic energy, which depends on the degree of disorder of the lattice, at T = 77 K increased after irradiation from 0,02-0.03 eV to 0,085-0,09 eV and did not depend on the temperature for irradiated crystals. The width of the density-of-states tails in the irradiated samples was similar for the transitions from the different sub-bands of the valence band to the conduction band and constituted about 0,09 eV. Analysis of the experimental data showed that in the defective (irradiated) single crystals with a deep position of the Fermi level in the forbidden zone intrinsic optical transitions with a deficit of photon energy occur due to the transitions of electrons from the ceiling of filled valence band by quantum tunneling under the hills of the potential profile of the conduction band. The smaller effective mass of electrons, than that of the holes enhance the greater efficiency of quantum transitions in the tail of the conduction band than it is typical for the relief of the valence band.
URI: http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5287
Content type: Article
Appears in Collections:Серія "Фізичні науки", 2013, № 2 (251)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
5.pdf1,77 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.