Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/28726
Назва: Фотоелектричні властивості двошарових структур In/CuInS2-ZnIn2S4 та (In–Ga)/CuInS2-ZnIn2S4
Автори: Новосад, О.В.
Бібліографічний опис: Новосад О.В. Фотоелектричні властивості двошарових структур In/CuInS2-ZnIn2S4 та (In–Ga)/CuInS2-ZnIn2S4. Актуальні проблеми фундаментальних наук : матеріали VІ Міжнар. наук. конф. (м. Луцьк – с. Світязь, 9-12 черв. 2025 р.). Луцьк , 2025. С. 99-100
Конференція/захід: Актуальні проблеми фундаментальних наук
Дата публікації: 2025
Дата внесення: жов-2025
Видавництво: Волинський національний університет імені Лесі Українки
Місце видання, проведення: Вежа-Друк
Діапазон сторінок: 99-100
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/28726
Тип вмісту: Conference Abstract
Розташовується у зібраннях:Актуальні проблеми фундаментальних наук

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ProcAPFS2025-100-101.pdf542,42 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.