Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/28726
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorНовосад, О.В.-
dc.date.accessioned2025-10-
dc.date.available2025-10-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citationНовосад О.В. Фотоелектричні властивості двошарових структур In/CuInS2-ZnIn2S4 та (In–Ga)/CuInS2-ZnIn2S4. Актуальні проблеми фундаментальних наук : матеріали VІ Міжнар. наук. конф. (м. Луцьк – с. Світязь, 9-12 черв. 2025 р.). Луцьк , 2025. С. 99-100uk_UK
dc.identifier.urihttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/28726-
dc.format.extent99-100-
dc.publisherВолинський національний університет імені Лесі Українкиuk_UK
dc.titleФотоелектричні властивості двошарових структур In/CuInS2-ZnIn2S4 та (In–Ga)/CuInS2-ZnIn2S4uk_UK
dc.typeConference Abstract-
dc.citation.conferenceАктуальні проблеми фундаментальних наук-
dc.coverage.placenameВежа-Друкuk_UK
Розташовується у зібраннях:Актуальні проблеми фундаментальних наук

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ProcAPFS2025-100-101.pdf542,42 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.