Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9657| Назва: | Фотоелектричні властивості кристалу AgGaGeS4 |
| Інші назви: | Photoelectric Properties of AgGaGeS4 Crystal |
| Автори: | Мирончук, Галина Парасюк, Олег Кримусь, Андрій Myronchuk, Galyna Parasyuk, Oleh Krymus, Andrii |
| Бібліографічний опис: | Фотоелектричні властивості кристалу AgGaGeS4 / Г. Мирончук, О. Парасюк, А. Кримусь // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки. Серія : Фізичні науки / Східноєвроп. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: С. А. Федосов та ін.]. – Луцьк, 2015. – № 10 (311). – С. 38-41. |
| Дата публікації: | 2015 |
| Дата внесення: | 16-чер-2016 |
| Видавництво: | Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки |
| Теми: | релаксація фотопровідності пастка час релаксації photoconductivity relaxation trap relaxation time |
| Короткий огляд (реферат): | У роботі досліджено кінетику релаксації фотопровідностів в монокристалі AgGaGeS4 Установлено, що час релаксації фотопровідності в кристалах AgGaGeS4 залежить від інтенсивності освітлення та температури. Оцінено глибину залягання пастки. ; Kinetics of photoconductivity relaxation in AgGaGeS4 crystal has been investigated in this work. It has been established that photoconductivity relaxation time in AgGaGeS4 crystals depends on light intensity and the temperature. The depth of trap has been estimated from the experimental data. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9657 |
| Тип вмісту: | Article |
| Розташовується у зібраннях: | Серія "Фізичні науки", 2015, № 10 (311) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 8.pdf | 362,79 kB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.