Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5264
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Новосад, О. В. | - |
dc.contributor.author | Божко, В. В. | - |
dc.contributor.author | Герасимик, О. Р. | - |
dc.contributor.author | Novosad, О. V. | - |
dc.contributor.author | Bozhko, V. V. | - |
dc.contributor.author | Gerasymyk, O. R. | - |
dc.date.accessioned | 2015-06-06T07:13:57Z | - |
dc.date.available | 2015-06-06T07:13:57Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Новосад, О. В. Електричні і фотоелектричні властивості структур In/Cu0,92Zn0,08InS2 / О. В. Новосад, В. В. Божко, О. Р. Герасимик // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2011. – № 16 : Фізичні науки. – С. 35-39. – Бібліогр.: 6 назв. | uk_UK |
dc.identifier.other | УДК 621. 315. 592 | - |
dc.identifier.uri | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5264 | - |
dc.description.abstract | Методом термічного вакуумного напилення індію на поверхню тонких сколів монокристалів твердих розчинів CuInS2 ZnIn2S4 отримано фоточутливі структури In/n-Cu1-xZnxInS2 (x=0 0,16). Досліджено стаціонарні та світлові вольт-амперні характеристики одержаних структур. Обговорено механізми струмоперенесення і процеси фоточутливості.;Photosensitive structures of the In/n-Cu1-xZnxInS2 (x=0-0,16) have been prepared by the thermal vacuum deposition of indium on the surface of single crystals of solid solutions CuInS2-ZnIn2S4 thin chips. The stationary and light current-voltage characteristics of these structures are studied. The current mechanisms and the photosensitivity processes of the thin structures are being discussed. | uk_UK |
dc.language.iso | uk | uk_UK |
dc.publisher | Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки | uk_UK |
dc.subject | тверді розчини | uk_UK |
dc.subject | фоточутливі структури | uk_UK |
dc.subject | вольт-амперна характеристика | uk_UK |
dc.subject | коефіцієнт випрямлення | uk_UK |
dc.subject | фотонапруга | uk_UK |
dc.subject | solid solutions | uk_UK |
dc.subject | photosensitive structures | uk_UK |
dc.subject | current-voltage characteristics | uk_UK |
dc.subject | rectification factor | uk_UK |
dc.subject | photovoltage | uk_UK |
dc.title | Електричні і фотоелектричні властивості структур In/Cu0,92Zn0,08InS2 | uk_UK |
dc.title.alternative | Electrical and Рhotoelectrical Рroperties of the Sructures In/Cu0,92Zn0,08InS2 | uk_UK |
dc.type | Article | uk_UK |
Розташовується у зібраннях: | Серія "Фізичні науки", 2011, № 16 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Novosad.pdf | 309,01 kB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.