Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5263
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorМирончук, Г. Л.-
dc.contributor.authorЯкимчук, О. В.-
dc.contributor.authorДанильчук, С. П.-
dc.contributor.authorПарасюк, О. В.-
dc.contributor.authorШаварова, Г. П.-
dc.contributor.authorДавидюк, Г. Є.-
dc.contributor.authorMyronchuk, G. L.-
dc.contributor.authorYakymchuk, O. V.-
dc.contributor.authorDanyl’chuk, S. P.-
dc.contributor.authorParasyuk, O. V.-
dc.contributor.authorShavarova, A. P.-
dc.contributor.authorDavydyuk, G. E.-
dc.date.accessioned2015-06-06T07:04:59Z-
dc.date.available2015-06-06T07:04:59Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationОсобливості електричних і оптичних властивостей монокристалічних тетрарних сполук Ag2CdSnS4 / Г. Л. Мирончук, О. В. Якимчук, С. П. Данильчук [та ін.] // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2011. – № 16 : Фізичні науки. – С. 15-23. – Бібліогр.: с. 22-23.uk_UK
dc.identifier.otherУДК 621.315.592-
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5263-
dc.description.abstractВивчались, одержані в лабораторіях університету об’ємні (60 10 10) мм2 монокристалічні тетрарні сполуки Ag2CdSnS4. Внаслідок високої концентрації технологічних дефектів N 2 1018см 3 вони проявляють риси невпорядкованих систем. На основі дослідження температурних залежностей електропровідності, спектрів поглинання світла, фотопровідності, оптичного гашення фотопровідності встановлено енергетичні положення технологічних дефектів у забороненій зоні, які відповідальні за електрично і оптично активні центри в Ag2CdSnS4, визначено ширину забороненої зони сполуки ( Eg 1,92еВ при T 300K ). Запропоновано несуперечливу фізичну модель спостережуваних процесів у монокристалах тетрарного халькогеніду Ag2CdSnS4.; Single crystals of quaternary compounds Ag2CdSnS4, obtained in the laboratories of the University, have been studied. Due to high concentration of technological defects (N≈2·1018cm-3) they exhibit the features of disordered systems. The energy position in the forbidden band of technological defects responsible for electric and optical properties of Ag2CdSnS4, the energy gap of the compounds (Eg ≈1,92 eV at Т≈300К) have been determined from the temperature dependence of electric conductivity, absorption spectra of photoconductivity and optical quenching of photoconductivity. Non- contradictory physical model of processes observed in single crystals of quaternary chalcogenides Ag2CdSnS4 has been suggested.uk_UK
dc.language.isoukuk_UK
dc.publisherСхідноєвропейський національний університет ім. Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectтетрарні сполукиuk_UK
dc.subjectтехнологічні дефектиuk_UK
dc.subjectневпорядковані системиuk_UK
dc.subjectелектричні і оптичні властивостіuk_UK
dc.subjectquaternary compoundsuk_UK
dc.subjecttechnological defectsuk_UK
dc.subjectdisordered systemuk_UK
dc.subjectelectric and optical propertiesuk_UK
dc.titleОсобливості електричних і оптичних властивостей монокристалічних тетрарних сполук Ag2CdSnS4uk_UK
dc.title.alternativePeculiarities of Electric and Optical Properties of Qaternary Single Crystalline Compounds Ag2CdSnS4uk_UK
dc.typeArticleuk_UK
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2011, № 16

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Myronchu.pdf454,15 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.