Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5249
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorПанасюк, Л. І.-
dc.contributor.authorКоломоєць, В. В.-
dc.contributor.authorБожко, В. В.-
dc.contributor.authorPanasjuk, L. I.-
dc.contributor.authorKolomojez, V. V.-
dc.contributor.authorBozhko, V. V.-
dc.date.accessioned2015-06-05T17:12:33Z-
dc.date.available2015-06-05T17:12:33Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationПанасюк, Л. І. Про домінуючу роль f-переходів у міждолинному розсіюванні в n-Si при температурі Т= 300-450К / Л. І. Панасюк, В. В. Коломоєць, В. В. Божко // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2012. – № 3(228) : Фізичні науки. – С. 3-8. – Бібліогр.: 5 назв.uk_UK
dc.identifier.otherУДК 621.315.592-
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5249-
dc.description.abstractЗ метою вияснення ролі f- та g-переходів у міждолинному розсіюванні в кремнії n-типу в області температур 300 450 К було використано тензорезистивний (ТР) ефект, пов’язаний з міждолинним переселенням носіїв струму при одновісній деформації Х // [001] n-Si (n e = 4 · 10 13 см -3 ), а також температурні залежності питомого опору () Т в одновісно деформованих і недеформованих кристалах. Як і раніше під час вимірювань ТР ефекту при температурі Т < 300 K, спостерігається нахил залежності log від T log , який за відсутності тиску відповідає степеневому закону зміни рухливості Т -2,3 , а при сильних одновісних тисках Х = 12000 кГ/см 2 ( 10kT ) Т -1,6 . При такому тиску повністю знімаються f-переходи з міждолинного розсіювання, тому суттєва зміна нахилу температурної залежності питомого опору в цьому інтервалі температур при переході від недеформованих кристалів кремнію до одновісно деформованих кристалів свідчить про наявність вирішального внеску f-переходів у міждолинне розсіювання при Х = 0. Ключові слова: тензорезистивний ефект, міждолинне розсіювання, питомий опір, рухливість. ; In order to elucidate a role of f- and g-transitions in intervalley dissipation of n -type silicon in the temperature range of 300 450 К, we have measured the tensoresistive (ТR) effect caused by intervalley transfer of charge carriers at one-axis deformation Х // [001] n-Si (ne = 4·10 13 сm -3 ), as well as temperature dependencies of specific resistance () Т in one-axis deformed and undeformed crystals. As in the previous measurements of TR effect at temperatures Т < 300 K, we have observed a slope of dependency of lоg upon log T, which corresponds, in the case of absence of pressure, to the degree rule of change of Т -2,3 mobility, but in the case of strong one-axis pressures Х = 12000 kГ/сm 2 ( 10kT ) it corresponds to Т -1,6 . At such pressure, the f-transitions caused by intervalley dissipation are absent. Therefore, significant change of a slope of temperature dependence of specific resistance in this temperature region when going from undeformed silicon crystals to the one-axis deformed crystal indicates the existence of principal contribution of f-transitions to intervalley dissipation at Х = 0.uk_UK
dc.language.isoukuk_UK
dc.publisherСхідноєвропейський національний університет ім. Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectтензорезистивний ефектuk_UK
dc.subjectміждолинне розсіюванняuk_UK
dc.subjecttensoresistive effectuk_UK
dc.subjectintervalley dissipationuk_UK
dc.titleПро домінуючу роль f-переходів у міждолинному розсіюванні в n-Si при температурі Т = 300 450 Кuk_UK
dc.title.alternativehe Dominant Role of f- and g-transitions in Intervalley Dissipation of n-type Silicon in the Temperature Range of Т = 300 450 Кuk_UK
dc.typeArticleuk_UK
Розташовується у зібраннях:Серія "Фізичні науки", 2012, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Panasjuk.pdf420,31 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.