Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5243| Назва: | Відпал електрично активних дефектів у нейтронно-опромінених монокристалах CdS |
| Інші назви: | The Annealing of Electrically Active Defects in Monocrystals CdS Irradiated by Fast Pile Neutrons. |
| Автори: | Давидюк, Г. Є. Данильчук, С. П. Божко, В. В. Шаварова, Г. П. Davidyuk, H. Ye. Danilchuk, S. P. Bojko, V. V. Shavarova, A. P. |
| Бібліографічний опис: | Відпал електрично активних дефектів у нейтронно-опромінених монокристалах СdS / Г. Є. Давидюк, С. П. Динильчук, В. В. Божко, Г. П. Шаварова // Науковий вісник Волинського національного університету ім. Лесі Українки / Волин. нац. ун-т ім. Лесі Українки ; [редкол.: Г. Є. Давидюк та ін.]. – Луцьк, 2012. – № 3(228) : Фізичні науки. – С. 19-31. – Бібліогр.: с. 30-31. |
| Дата публікації: | 2012 |
| Дата внесення: | 5-чер-2015 |
| Видавництво: | Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки |
| Теми: | халькогеніди дефекти chalcogenides defects |
| Короткий огляд (реферат): | Встановлено основні стадії відпалу радіаційних дефектів, відповідальних за електропровідність опромінених швидкими реакторними нейтронами монокристалів CdS. Показано, що на першій стадії відпалу ~100 200 ° C відбувається зменшення концентрації точкових дефектів, а при вищих температурах ~200 400 ° C відпалюються кластери дефектів. Після відпалу радіаційних дефектів, утворених нейтронною радіацією, електропровідність зразка контролюється мілкими донорами атомами In, які утворюються внаслідок трансмутації атомів Cd, що зазнали непружних зіткнень з нейтронами. Інтерпретацію експерим ентальних результатів проведено у рамках моделі невпорядкованих систем. ; The main stages of annealing of radiation defects responsible for the conductivity of single crystals CdS irradiated by fast pile neutrons has been established. It has been shown, that in the first stage of annealing (~100 200 ° C) the concentration of point defects decreases, whereas at higher temperatures (~200 400 ° C) defect clusters anneal. After annealing of radiation defects, formed by neutron radiation, electrical conductivity of the samples is controlled by shallow donor atoms In, which arise due to transmutation of Cd atoms after inelastic collisions with neutrons. The interpretation of experimental results is based on the model of disordered systems. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5243 |
| Тип вмісту: | Article |
| Розташовується у зібраннях: | Серія "Фізичні науки", 2012, № 3 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Davidyuk.pdf | 3,72 MB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.