Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/28560
Назва: | Термоелектричні та оптичні властивості кристалів твердих розчинів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12. |
Автори: | Новосад, Олексій Володимирович Шигорін, Олег Павлович Беллаґра, Хадж Каддур Піскач, Людмила Василівна Гомілко, Віктор Вікторович |
Бібліографічний опис: | Новосад, О., Шигорін, О., Беллаґра, Х. К., Піскач, Л., Гомілко, В. (2025). Термоелектричні та оптичні властивості кристалів твердих розчинів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12. Фізика та освітні технології, 1, 108–113, doi: https://doi.org/10.32782/pet-2025-1-14 |
Конференція/захід: | Фізика та освітні технології 1 |
Дата публікації: | 30-кві-2025 |
Дата внесення: | 1-жов-2025 |
Видавництво: | Видавничий дім «Гельветика» |
Країна (код): | UA |
DOI: | https://doi.org/10.32782/pet-2025-1-14 |
УДК: | 538.9 |
Теми: | напівпровідники кристали коефіцієнт Зеєбека оптичне поглинання ширина забороненої зони |
Діапазон сторінок: | 108-113 |
Короткий огляд (реферат): | У роботі представлені результати досліджень термоелектричних та оптичних властивостей кристалів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12 із вмістом 10, 20, 30 мол.% Pb4Ga4GeS12.Мета роботи полягала в експериментальному визначенні питомої електропровідності, типу провідності, коефіцієнта Зеєбека, оцінці ширини забороненої зони та розрахунку термоелектричної потужності кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12. Усі дослідження проводились при кімнатній температурі (Т≈300 К). Найвищими значення питомої електропровідності (σ≈170 Ом-1·м-1) володіли зразки твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 з 20 мол.% Pb4Ga4GeS12. Високі значення σ можуть свідчити про стан матеріалів, близький до виродженого. Термоелектричними методами встановлено, що кристали Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12 належать до напівпровідників п-типу провідності. Значення коефіцієнтів Зеєбека становили 205 мкВ/К, 220 мкВ/К, 240 мкВ/К для кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 з 10, 20 та 30 мол.% Pb4Ga4GeS12. Маючи високі значення коефіцієнта Зеєбека, кристали твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 є перспективними матеріалами для виготовлення чутливих термодатчиків. Встановлено, що найвищі значення термоелектричної потужності (α2·σ=8,2·10-6 Вт/м·К2) властиві кристалам Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 з вмістом 20 мол.% Pb4Ga4GeS12.Для оцінки ширини забороненої зони досліджено спектральний розподіл коефіцієнта поглинання світла в області краю фундаментального поглинання. Оцінені із спектрів оптичного поглинання значення ширини забороненої зони становили 1,89 еВ, 1,92 еВ, 1,95 еВ для кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12-Pb4Ga4GeS12 з вмістом 10, 20 та 30 мол.% Pb4Ga4GeS12. Встановлено, що досліджувані кристали є непрямозонними. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/28560 |
Тип вмісту: | Article |
Розташовується у зібраннях: | Наукові роботи (FTI) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
2410.pdf | 505,47 kB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.