Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/23969
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.advisorЗамуруєва, Оксана Валеріївна-
dc.contributor.authorФедосов, Віталій Сергійович-
dc.date.accessioned2024-04-01T13:06:57Z-
dc.date.available2024-04-01T13:06:57Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationФедосов В. С. Рівень Фермі в кристалах n- CdSb з глибокими енергетичними рівнями : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня магістра : спец. 104 – Фізика та астрономія / наук. кер. О. В. Замуруєва ; Волинський національний університет імені Лесі Українки. Луцьк. 2023. 62 с.uk_UK
dc.identifier.urihttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/23969-
dc.description.abstractПроведено дослідження впливу радіаційних дефектів у легованих телуром кристалах антимоніду кадмію до та після високих доз опромінення γ-квантами 60Co на основі вимірів та аналізу температурних залежностей електропровідності, ефекту Холла в діапазоні температур (78 295) K. Виявлено, що γ-опромінення великими дозами призводить до значних змін електрофізичних властивостей.За результатами температурних залежностей концентрації носіїв струму досліджено зміни положення рівня Фермі у кристалах n-CdSb, легованих домішками Te, до і після опромінення γ-квантами 60Co. Розглянуто особливості положення рівня Фермі від температури в області домішкової та власної провідності. Проаналізовано публікації авторитетних світових науковців пов’язані з інноваційними напівпровідниковими технологіями для автомобільного транспорту. Це створює розуміння формування підтримки та розвитку цього напряму у світі і в Україні, визначення перспектив нових досліджень.uk_UK
dc.language.isoukuk_UK
dc.publisherВолинський національний університет імені Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectантимонід кадміюuk_UK
dc.subjectлегуванняuk_UK
dc.subjectдомішкиuk_UK
dc.subjectконцентрація носіївuk_UK
dc.subjectрівень Ферміuk_UK
dc.subjectгамма-опроміненняuk_UK
dc.subjectрадіаційні дефектиuk_UK
dc.titleРівень Фермі в кристалах n-CdSb з глибокими енергетичними рівнями: робота на здобуття кваліфікаційного ступеня магістраuk_UK
dc.typeMaster Thesisuk_UK
dc.contributor.affiliationКафедра теоретичної та комп’ютерної фізики імені А. В. Свідзинськогоuk_UK
dc.contributor.affiliation104 Фізика та астрономіяuk_UK
Розташовується у зібраннях:FTI_KR (2023)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Fedosov_2023.pdf1,08 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.