Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/14507
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorБулатецька, Леся Віталіївна-
dc.contributor.authorBulatetska, Lesia V.-
dc.date.accessioned2018-07-30T13:28:27Z-
dc.date.available2018-07-30T13:28:27Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationБулатецька, Л. В. Електричні і оптичні властивості монокристалів CdS, AgCd2GaS4 та A2IHgCIVD4VI (AI-Cu,Ag; CIV-Ge,Sn; DIV-S,Se) з дефектами структури : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Л. В. Булатецька ; Волин. нац. ун-т ім. Л.Українки. - Луцьк, 2008. - 19 с.uk_UK
dc.identifier.otherУДК 621.315.592-
dc.identifier.urihttp://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/14507-
dc.description.abstractДисертація присвячена дослідженню впливу дефектів технологічного походження на електричні та оптичні властивості монокристалічних сполук AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DVІ – S, Se), а також дослідженню впливу структурних пошкоджень радіаційного характеру на параметри спеціально нелегованих і легованих Cu монокристалів сульфіду кадмію. Монокристалічні сполуки AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DVІ – S, Se) внаслідок дефектності кристалічної ґратки проявляють властивості характерні для невпорядкованих напівпровідників. В роботі запропоновано фізичну модель електронних станів у тетрарних халькогенідних напівпровідниках A2IBIICІVD4VI. This dissertation is devoted to the research of the influence of the defects, technological in origin, upon the electrical and optical properties of single-crystals compounds AgCd2GaS4 and A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DVІ – S, Se) and also to the research of the influence of the structural demages of the radiation character upon the parameters of specially non-alloyed and alloyed Cu single-crystals of cadmium sulphides. Single-crystal compounds AgCd2GaS4 and A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DVІ – S, Se) in the result of defectiveness of crystal grating display the properties typical for not regulated semiconductors. The physical pattern of electronic states in quaternary сhalcogenide semiconductor compounds A2IBIICІVD4VI is propound in the paper.uk_UK
dc.language.isoukuk_UK
dc.publisherВолинський національний університет імені Лесі Українкиuk_UK
dc.subjectхалькогенідиuk_UK
dc.subjectтетрарні сполукиuk_UK
dc.subjectмонокристалuk_UK
dc.subjectсульфід кадміюuk_UK
dc.subjectдефектиuk_UK
dc.subjectChalcogenide,uk_UK
dc.subjectQuaternary compoundsuk_UK
dc.subjectSingle-crystalsuk_UK
dc.subjectCadmium Sulphidesuk_UK
dc.subjectDefectsuk_UK
dc.titleЕлектричні і оптичні властивості монокристалів CdS, AgCd2GaS4 та A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DІV – S, Se) з дефектами структуриuk_UK
dc.title.alternativeElectrical and optical properties of single-crystals CdS, AgCd2GaS4 and A2IHgCІVD4VI (АI – Cu, Ag; СIV – Ge, Sn; DVІ – S, Se) with the structure defects.uk_UK
dc.typeDissertation Abstractuk_UK
Розташовується у зібраннях:Автореферати дисертацій

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
aref_bulatecka.pdf576,9 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.