Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/1268| Назва: | Математична модель кінетики точкових дефектів в напівпровідниках при дії оптичного випромінювання |
| Інші назви: | Mathematical model of the kinetics of point defects in semiconductors under the action of optical radiation |
| Автори: | Острей, Сергій Вікторович Ostrei, Serhii V. |
| Бібліографічний опис: | Острей С. Математична модель кінетики точкових дефектів в напівпровідниках при дії оптичного випромінювання /С.Острей //Матеріали 4 міжнародної конференції «Релаксаційні, нелінійні й акустооптичні процеси та матеріали» - РНАОПМ – 2008, С.112-118. |
| Дата публікації: | чер-2008 |
| Дата внесення: | 29-тра-2013 |
| Видавництво: | Волинський національний університет ім. Лесі Українки |
| Теми: | модель кінетика оптика дефекти відпал лазер енергія model kinetics optics defects annealing laser energy |
| Короткий огляд (реферат): | Описуються процеси руйнування та відновлення кристалічних структур під впливом короткотривалих лазерних імпульсів. Розглядаються математичні моделі процесів формування напівпровідника з заданими наперед властивостями. The process of destruction and renewal of crystal structures under the influence of short-term laser pulses are describe. The mathematical model of the formation of the semiconductor properties specified in advance are consider. |
| Опис: | Острей Сергій Вікторович – старший викладач кафедри прикладної математики та інформатики Східноєвропейського національного університету ім. Лесі Українки |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/1268 |
| Тип вмісту: | Article |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові роботи (FITM) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Ostrey_rnaopm_08.pdf | 1,91 MB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.