https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9407 2026-04-15T00:29:09Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9709 Назва: Проблеми моделювання фазових трансформацій в релаксаційній оптиці Автори: Трохимчук, Петро; Trokhimchuck, Petro Короткий огляд (реферат): Схарактеризовано проблеми моделювання фазових трансформацій у релаксаційній оптиці. Проаналізовано доцільність використання класичної теорії фазових переходів. Наведено фізико-хімічну модель каскадного поетапного збудження відповідного типу хімічних зв’язків і приклади її використання для опису процесів релаксаційної оптики. Висвітлено вплив нелінійнооптичних явищ на процеси релаксаційної оптики. ; Problems of modeling of phase transformations in Relaxed Optics are discussed. An appropriateness of application of classic theory of phase transitions is analyzed. Physical-chemical model of cascade stepwise excitation of proper types of chemical bonds and examples of their applications for processes of Relaxed Optics are represented. Questions about influence of nonlinear optical phenomena for processes of Relaxed Optics are discussed. 2015-01-01T00:00:00Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9708 Назва: Сучасні методи комп’ютерного моделювання наночастинок і наносистем Автори: Тарасова, Олена; Мерзликін, Павло; Tarasova, Olena; Merzlykin Короткий огляд (реферат): У статті представлено огляд сучасних обчислювальних методів і оцінено ступінь їх застосованості для дослідження нанорозмірних матеріалів. Описано чотири основні підходи, які використовують для моделювання наносистем. Проаналізовано переваги й недоліки кожної групи розглянутих методів. Оцінено співвідношення точності розрахунків і розмірів системи для різних квантово-механічних методів. ; The special role of simulation in nanotechnology is caused by the fact that the traditional research methods are usually very costly and unprofitable. The paper overviews modern computing methods and their suitability for nanoscale materials. The four basic approaches used for nanosystems simulation are described: method of classical (empirical) potential, semi-empirical potential approach, non-empirical approach (modelling from the first principles or ab initio methods) and Monte Carlo method. The classic approach is not enough to provide the study of nuclear interactions in nanometer scale. The semi-empirical methods are best suited for nanoparticles simulation, but not suitable for the creation of adequate nanosystems models. Methods based on density functional theory are the most common calculation methods in solid state physics due to their high computational efficiency (among other first principles methods) and large enough accuracy. Quantum Monte Carlo method is one of the most promising methods for modelling, which allows to simulate the behaviour of systems consisting of millions or billions of atoms. 2015-01-01T00:00:00Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9707 Назва: Узагальнення моделі Охти для дослідження багатошарових Джозефсонівських контактів Автори: Свідзинський, Анатолій; Сахнюк, Василь; Пастух, Олександр; Шутовський, Арсен; Svidzinskiy, Anatoliy; Sakhnyuk, Vasyl; Pastukh, Oleksandr; Shutovskiy, Arsen Короткий огляд (реферат): У статті зроблено узагальнено напівкласичну модель Охти для використання її для дослідження n послі- довно розміщених тунельних надпровідних контактів. Використавши запропоновану загальну схему макро- скопічного аналізу таких систем, отримано аналітичний результат для залежності надпровідного струму від різниці фаз параметрів упорядкування в крайніх надпровідниках. ; The effect of tunneling in many layers Josephson junction was analyzed. Modification of Ohta’s model for investigation equilibrium current states in many layers superconducting structures was also proposed. The expression for the dependence of current from phase difference in many barrier contacts was received. 2015-01-01T00:00:00Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9657 Назва: Фотоелектричні властивості кристалу AgGaGeS4 Автори: Мирончук, Галина; Парасюк, Олег; Кримусь, Андрій; Myronchuk, Galyna; Parasyuk, Oleh; Krymus, Andrii Короткий огляд (реферат): У роботі досліджено кінетику релаксації фотопровідностів в монокристалі AgGaGeS4 Установлено, що час релаксації фотопровідності в кристалах AgGaGeS4 залежить від інтенсивності освітлення та температури. Оцінено глибину залягання пастки. ; Kinetics of photoconductivity relaxation in AgGaGeS4 crystal has been investigated in this work. It has been established that photoconductivity relaxation time in AgGaGeS4 crystals depends on light intensity and the temperature. The depth of trap has been estimated from the experimental data. 2015-01-01T00:00:00Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9655 Назва: Морфометрія та механічні властивості плівок карбону, отриманих магнетронним депонуванням в атмосфері аргону Автори: Коровицький, Андрій; Чосік, Даріуш; Федосов, Сергій; Качан, Юрій; Колядинський, Іван; Сахарчук, Віктор; Korovytskyy, Andrij; Chocyk, Dariush; Fedosov, Sergiy; Kachan, Yurij; Kolyadynskyy, Ivan; Saharchuck, Viktor Короткий огляд (реферат): У роботі за допомогою вдосконаленої технології отримання стабільного плазмового розряду в робочій камері ВУП5М здійснено напилення тонких плівок карбону. Досліджено структуру та механічні властивості тонких плівок карбону. Установлено, що за цих технологічних умов утворюються аморфні структури карбону. Виявлено, що ці плівки карбону досить «м’якимі» й володіють добрими пружними властивостями. ; Carbon thin films have been deposited by usage of an advanced technology for stable plasma discharge in the vacuum chamber of VUP5M. The structure and mechanical properties of carbon thin films have been studied. Carbon films, formed under such technological conditions, have amorphous structure. It was found, that carbon films are very “soft” and have good elastic properties. 2015-01-01T00:00:00Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9653 Назва: Дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання монокристалу Tl1-xIn1-xGexSe2 (x=0,1; 0,2) Автори: Кітик, Іван; Мирончук, Галина; Замуруєва, Оксана; Парасюк, Олег; Мартинюк, Олександр; Kityk, Ivan; Mironchuk, Galyna; Zamurueva, Oksana; Parasyuk, Oleg; Martynyuk, Alexander Короткий огляд (реферат): За дослідженнями спектрального розподілу коефіцієнта поглинання оцінено ширину забороненої зони при непрямих і прямих дозволених переходах. Обчислено термічний коефіцієнт зміни ширини забороненої зони, енергію Урбаха й параметр крутизни спектрів оптичного поглинання за температур 100 ¸300 К для твердих розчинів Tl1-xIn1-xGexSe2 з вмістом (х=0,1; х=0,2). ; From the spectral distribution of the absorption coefficient the band gap for direct and indirect allowed transitions is estimated. The temperature dependence of band gap, Urbach's energy and the steepness of optical absorption spectra at temperatures 100÷300 K for solid solutions Tl1-xIn1-xGexSe2 (x = 0,1; 0,2) is determined. 2015-01-01T00:00:00Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9652 Назва: Отримання й електричні властивості твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5) Автори: Кітик, Іван; Мирончук, Галина; Данильчук, Сергій; Піскач, Людмила; Мозолюк, Марія; Божко, Володимир; Kityk, Ivan; Myronchuk, Galyna; Danylchuk, Sergiy; Piskach, Ludmyla; Mozolyuk, Mariya; Bojko, Volodymyr Короткий огляд (реферат): Розроблено технологічні умови вирощування монокристалів твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5). Рентгенівським методом порошку розшифрована кристалічна структура сплавів і запропоновано механізм утворення твердого розчину. Досліджено температурну залежність питомої темнової електропровідності, виз- начено енергії активації провідності. ; The technological conditions for growth of solid solutions Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5) single crystals have been developed. The crystal structure of the alloy has been solved by X ray diffraction powder method, the mechanism of the solid solution formation is proposed. The temperature dependence of the specific electrical dark conductivity and the activation energy of conductivity have been determined. 2015-01-01T00:00:00Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9651 Назва: Фотоелектричні дослідження твердого розчину TlInSe2-Si(Ge)Se2 (x=0,1; 0,2) Автори: Кітик, Іван; Мирончук, Галина; Замуруєва, Оксана; Парасюк, Олег; Свідзинський, Анатолій; Kityk, Ivan; Mironchuk, Galyna; Zamurueva, Oksana; Parasyuk, Oleg; Svidzinskiy, Anatoliy Короткий огляд (реферат): Монокристали твердого розчину TlInSe2–Si(Ge)Se2 (x=0,1; 0,2) фоточутливі матеріали. Знайдено кратність фотовідклику до монохроматичного світла. Досліджено спектральний розподіл фотопровідності (ФП) монокристалів. ; Single crystals of solid solution TlInS2-Si(Ge)Se2 are photosensitive materials. The spectral distribution of their photoconductivity is studied in this article. In Tl1-xIn1- xSi(Ge)xSe2 (x = 0,1; 0,2) crystals the maximum of intrinsic photoconductivity decreases with increasing x. This can be explained by rising of the concentration of S-recombination centers. 2015-01-01T00:00:00Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9650 Назва: Температурна залежність питомої електропровідності монокристалів Tl1-xIn1-xGexSe2 (x = 0,1; 0,2) уздовж і перпендикулярно до шарів Автори: Кітик, Іван; Мирончук, Галина; Замуруєва, Оксана; Парасюк, Олег; Шаварова, Ганна; Kityk, Ivan; Mironchuk, Galyna; Zamurueva, Oksana; Parasyuk, Oleg; Shavarova, Anna Короткий огляд (реферат): Проаналізовано температурні залежності питомої електропровідності в монокристалах Tl1-xIn1-xGexSe2 уздовж та перпендикулярно до шарів. Показано, що в температурному інтервалі 100–300 K спостерігається провідність термозбуджених домішкових носіїв заряду по дозволеній зоні й стрибкова провідність за локалізованими станами. ; We analyzed the temperature dependence of conductivity in monocrystals Tl1-xIn1-xGexSe2 along and perpendicular to the layers. It is shown that in the temperature range 100 – 300 K the conductivity of thermal activated impurity carriers over the allowed band and hopping conductivity over localized states takes place. The activation energy of impurity conductivity is determined. The density of localized states near the Fermi level, the energy spread of these states and the average length of carrier hops at different temperatures is estimated. 2015-01-01T00:00:00Z https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/9649 Назва: Фоточутливість і механізми проходження струму в поверхнево-бар’єрних структурах оксид-Cd0,96Zn0,04Te Автори: Новосад, Олексій; Божко, Володимир; Богданюк, Микола; Божко, Неоніла; Novosad, Oleksiy; Bozhko, Volodymyr; Bohdanyuk, Mykola; Bozhko, Neonila Короткий огляд (реферат): Методом термічного окислення в повітряному середовищі монокристалів Cd0,96Zn0,04Te за Т=570 оС отри- мано поверхнево-бар’єрні структури оксид-Cd0,96Zn0,04Te. Досліджено їх стаціонарні вольт-амперні характерис- тики та проаналізовано механізми проходження струму. Показано, що поверхнево-бар’єрні структури оксид- Cd0,96Zn0,04Te проявляють фотовольтаїчні властивості. Особливістю спектрів фотонапруги є один вузький максимум, положення якого відповідає енергії квантів світла hυ≈1,54 еВ, а ширина на половині висоти становить ~120 меВ.; In this work photosensitive oxide-Cd0,96Zn0,04Te surface-barrier structures of Cd0,96Zn0,04Te single crystals with p-type conductivity has been produced and studied. Photosensitive surface-barrier structures were produced by heat-treatment of monocrystalline p- Cd0,96Zn0,04Te plates in the air at temperature near 570 °C for t≈40 min. The stationary current-voltage characteristics of these surface-barrier structures are studied. The current mechanisms and the photosensitivity processes of the structures are being discussed. Rectification coefficient for the best structures, at a voltage close to the cutoff voltage (U0) was ~20. For these structures, the initial portion forward of the current-voltage characteristic is described with the conventional diode equation. The reverse steady-state current-voltage characteristic of oxide-Cd0,96Zn0,04Te surfacebarrier structures follows a power law with the m≈2,6 exponent. On the spectrum of photovoltage, there is one with a narrow peak width at half height of ~ 120 meV. The energy position of the maximum the photovoltage was equal to hυ≈1,54 eV. 2015-01-01T00:00:00Z