https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5269 2026-04-05T17:31:16Z 2026-04-05T17:31:16Z Шигорін, Павло Дмитрук, Ірина Shygorin, Pavlo Dmytruk, Iryna https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5291 2015-06-19T08:09:21Z 2013-01-01T00:00:00Z

Назва: Проблема власних функцій та власних значень у теорії нерівноважних процесів у конденсованому бозе-газі Автори: Шигорін, Павло; Дмитрук, Ірина; Shygorin, Pavlo; Dmytruk, Iryna Короткий огляд (реферат): У роботі досліджено задачу на власні функції та власні значення оператора лінеаризованого інтеграла зіткнень квантового кінетичного рівняння Больцмана для моделі слабконеідеального бозе-газу за наявності в ньому бозе-конденсату. Побудовано перші вісім ортогоналізованих та нормованих власних функцій і розраховано відповідні власні значення. Показано, що перші три власні значення дорівнюють нулю. Розглянуто можливості застосування системи власних функцій опертора лінеаризованого інтеграла зіткнень для теоретичного опису слабконерівноважних процесів у бозе-газі за наявності конденсату, зокрема для опису звукових хвиль, розрахунку кінетичних коефіцієнтів в’язкості та теплопровідності тощо. In this paper we study the problem of eigenfunctions and eigenvalues for the linear collision operator of quantum kinetic Boltzmann equation. We calculated the first eight eigenfunctions and constructed their linear combinations, which allows through successive approximations to investigate the propagation of sound waves, to describe the effects of attenuation and to calculate transport coefficients (viscosity, thermal conductivity). Given the structure of the collision integral first three eigenvalues is zero. This is due to the existence of the laws of conservation of the number of particles, momentum and energy, which are performed in collisions of particles. The following eigenvalues are not equal to zero and are negative.

2013-01-01T00:00:00Z Trоkhimchuck, Petro Dmytruk, Iryna Трохимчук, Петро Дмитрук, Ірина https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5290 2018-05-21T11:09:55Z 2013-01-01T00:00:00Z

Назва: Problem of Coherence in Modern Theoretical Physics Автори: Trоkhimchuck, Petro; Dmytruk, Iryna; Трохимчук, Петро; Дмитрук, Ірина Короткий огляд (реферат): The problem of coherence in modern theoretical physics is discussed. Classical and quantum conceptions of coherence, including uncertainty principles, are analyzed. Problem of coherence in Relaxed Optics (RO) is represented as a problem of creation and change of coherent structures. Рroblems of coherence breakdown, including phase coherence, and its applications in modern physics, including RO, are discussed too.;Дослідже- но проблему когерентності в сучасній теоретичній фізиці. Проаналізовано класичну та квантову концепції когерентності, уключаючи принципи невизначеності, а також принципи невизначеності Гейзенберга, Робертсона, Гейзенберга-Робертсона та Шрьодінгера-Робертсона, застосування принципу невизначеності Шрьодінгера- Робертсона для розв’язання задачі про нелінійний математичний маятник. Проблему когерентності в релаксаційній оптиці представлено як проблему утворення й зміни когерентних структур. Проаналізовано класифікацію когерентних структур, що відповідає класифікації явищ незворотної взаємодії оптичного випромінювання з речовиною, яка покладена в основу релаксаційної оптики. Досліджено проблеми порушення когерентності, уключаючи фазову когерентність, та їх застосування в сучасній фізиці, релаксаційній оптиці.

2013-01-01T00:00:00Z Булатецька, Леся Bulatetska, Lesiya https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5289 2015-06-09T18:36:32Z 2013-01-01T00:00:00Z

Назва: Проблеми моделювання неоднорідних систем у теорії перколяцій Автори: Булатецька, Леся; Bulatetska, Lesiya Короткий огляд (реферат): У роботі подано базові поняття теорії перколяцій. Розглянуто проблеми комп’ютерного моделювання перколяційних задач для решіток великих розмірів. Досліджено розвʼязання проблеми прискорення роботи алгоритмів пошуку порога протікання та моделювання нескінченного кластера через застосування паралельних обчислень засобами багатоядерних графічних процесорів і технології CUDA.; The paper presents the basic concepts of percolation theory considers the problem of computer simulation of percolation problems for large grilles. We consider ways to address the acceleration of the search algorithms and modeling of the percolation threshold of the infinite cluster method of application of parallel computing. To speed up the calculations are encouraged to use the capabilities of modern graphics cards and Technology CUDA, which implement massively parallel computing on general-purpose high-end graphics processors. The architecture of graphics cards is that they allow you to simultaneously process large amounts of data, and thus carry out numerical calculations of large volumes. The use of graphics processors will optimize the models and algorithms for percolation problems, to increase the accuracy of the results due to the possibility of modeling objects of higher dimension.

2013-01-01T00:00:00Z Кевшин, Андрій Kevshyn, Andriy https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5288 2015-06-09T18:27:23Z 2013-01-01T00:00:00Z

Назва: Особливості оптичних властивостей халькогенідних стекол та сильно дефектних монокристалічних халькогенідних сполук групи AIIBVI Автори: Кевшин, Андрій; Kevshyn, Andriy Короткий огляд (реферат): У статті досліджено особливості оптичних властивостей халькогенідних стекол та сильно дефектних монокристалічних халькогенідних сполук AIIBVI. Показано, що, незважаючи на різну природу порушення періодичності потенціальної енергії електрона в дефектних кристалічних тілах і стеклах, характер оптичних електронних переходів у ділянці власного поглинання світла однаковий, про що свідчить виконання правила Урбаха для цих двох систем.; In this paper investigation of peculiarities of the optical properties of chalcogenide glasses and highly defective monocrystalline chalcogenide compounds AIIBVI which include CdS irradiated with fast reactor neutrons is presented. It has been shown that despite the different nature of the disruption of periodicity of the potential energy of electron in defective crystalline solids and glasses, character of optical electronic transitions in the intrinsic absorption region is the same, as evidenced by the realization of Urbach's rule for these two systems. However, in the glassy substances characteristic energy, which determines the blur and the slope of the absorption edge is independent of temperature, whereas it increases with increasing temperature for the defective crystals (~7•10-5 eV/K for CdS irradiated with neutrons, dose of ≈3•1018 cm-2). This increase is due to the additional ionization of the defect centers and thus the change of value of the random electric field and the associated potential in the defective crystalline semiconductors.

2013-01-01T00:00:00Z Давидюк, Георгій Мирончук, Галина Замуруєва, Оксана Шаварова, Ганна Davydyuk, Georgy Myronchuk, Galina Zamurueva, Oksana Shavarova, Ganna https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5287 2015-06-09T18:18:13Z 2013-01-01T00:00:00Z

Назва: Утворення хвостів щільності електронних станів біля країв зон в опромінених швидкими нейтронами монокристалах Автори: Давидюк, Георгій; Мирончук, Галина; Замуруєва, Оксана; Шаварова, Ганна; Davydyuk, Georgy; Myronchuk, Galina; Zamurueva, Oksana; Shavarova, Ganna Короткий огляд (реферат): У дефектних (опромінених) монокристалах CdS у забороненій зоні власні оптичні переходи з дефіцитом енергії фотонів здійснюються переходами електронів і зі стелі, заповненої електронами валентної зони, через квантове тунелювання під горби потенціального рельєфу зони провідності. Менша ефективна маса електронів, порівняно з такою ж для дірок, сприяє більшій ефективності квантових переходів у хвості зони провідності, ніж це характерно для рельєфу валентної зони. Визначено протяжність хвостів щільності станів в опромінених швидкими нейтронами монокристалах CdS. ; We investigated the absorption spectra of perfect CdS crystals before and after irradiation by fast reactor neutrons with an average energy of 1 MeV with the dose 3•1018 cm-2 in the temperature range 77-300 K. The measurements showed that both before and after irradiation, the energy dependence of the absorption coefficient is well described by the Urbach rule. The characteristic energy, which depends on the degree of disorder of the lattice, at T = 77 K increased after irradiation from 0,02-0.03 eV to 0,085-0,09 eV and did not depend on the temperature for irradiated crystals. The width of the density-of-states tails in the irradiated samples was similar for the transitions from the different sub-bands of the valence band to the conduction band and constituted about 0,09 eV. Analysis of the experimental data showed that in the defective (irradiated) single crystals with a deep position of the Fermi level in the forbidden zone intrinsic optical transitions with a deficit of photon energy occur due to the transitions of electrons from the ceiling of filled valence band by quantum tunneling under the hills of the potential profile of the conduction band. The smaller effective mass of electrons, than that of the holes enhance the greater efficiency of quantum transitions in the tail of the conduction band than it is typical for the relief of the valence band.

2013-01-01T00:00:00Z Брітавська, Олена Britavskaya, Olena https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5286 2015-06-09T18:00:35Z 2013-01-01T00:00:00Z

Назва: Вплив структури поверхні кристалів на спектри іонізаційно-стимульованої емісії Автори: Брітавська, Олена; Britavskaya, Olena Короткий огляд (реферат): Показано, що ступінь невпорядкованості поверхні кристала істотно впливає на структуру енергетичних розподілів частинок, емітованих у результаті підпорогових механізмів. У реальному кристалі й, зокрема, на його поверхні час життя різних збуджених електронних станів характеризуються деяким розподілом із певним середнім значенням. Тому при моделюванні атомарних процесів, визначених релаксацією електронних збуджень, доцільно задавати деякий розподіл часів життя електронних збуджень. ; It is shown that the degree of disorder in the crystal surface significantly affects structure of the energy distribution of particles that are emitted due to the subthreshold mechanisms. On the real crystalsurfacethe different lifetimes of the excited electronic states are characterized by a certain distribution with a certain mean value. Therefore, the modeling of atomic processes defined by the relaxation of electronic excitations, it is advisable to specify a distribution of lifetimes of electronic excitations.

2013-01-01T00:00:00Z Замуруєва, Оксана Мирончук, Галина Парасюк, Олег Zamuruyeva, Oksana Myronchuk, Galina Parasyuk, Oleg https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5285 2015-06-09T17:50:43Z 2013-01-01T00:00:00Z

Назва: Оптичні, електричні та фотоелектричні властивості кристалів Ag2In2Si(Ge)Se6 Автори: Замуруєва, Оксана; Мирончук, Галина; Парасюк, Олег; Zamuruyeva, Oksana; Myronchuk, Galina; Parasyuk, Oleg Короткий огляд (реферат): У роботі досліджено оптичні, електричні та фотоелектричні властивості маловивчених халькогенідних напівпровідників Ag2In2Si(Ge)Se6. Показано, що досліджувані матеріали проявляють властивості невпорядко- ваних систем, обумовлених технологічними дефектами й структурними особливостями сполуки. Вивчено спектри оптичного поглинання напівпровідників Ag2In2Si(Ge)Se6, розраховано коефіцієнт поглинання α, оцінено ширину забороненої зони. Інтерпретацію експерементальних результатів здійснено в межах моделі Мотта для невпорядкованих систем. ; The optical, electrical and photovoltaic properties of chalcogenide semiconductors Ag2In2Si(Ge)Se6 have been investigated in the present work. It is shown that Ag2In2Si(Ge)Se6 crystals exhibit the properties of disordered systems due to technological defects and structural features of the compound. Optical absorption spectra of Ag2In2Si(Ge) Se6 crystals have been examined, absorption coefficient calculated and energy gap estimated. Interpretation of experimental results is conducted basing on the Mott model for disordered systems.

2013-01-01T00:00:00Z Tretyak, Alina Bulatetska, Lesya Bekenev, Valeriy Parasyuk, Oleg Khyzhun, Oleg Bozhko, Volodymyr Божко, Володимир Третяк, Аліна Булатецька, Леся Бекеньов, Валерій Парасюк, Олег Хижун, Олег https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5284 2015-06-09T17:41:01Z 2013-01-01T00:00:00Z

Назва: Electronic structure of AgCd2GaS4 Автори: Tretyak, Alina; Bulatetska, Lesya; Bekenev, Valeriy; Parasyuk, Oleg; Khyzhun, Oleg; Bozhko, Volodymyr; Божко, Володимир; Третяк, Аліна; Булатецька, Леся; Бекеньов, Валерій; Парасюк, Олег; Хижун, Олег Короткий огляд (реферат): In the present work we report on measurements of X-ray photoelectron (XP) valence-band spectrum including the comparatively wide energy region corresponding to location of upper core-levels (up to ~80 eV with respect to the bottom of the valence band) of the atoms constituting a quaternary AgCd2GaS4 single crystal grown by the Bridgman method. Electronic structure of AgCd2GaS4 are also theoretically studied by using the first-principles full potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method. The FP-LAPW method has been employed in the present work to calculate binding energies of upper core-levels for the AgCd2GaS4 compound. With respect to values of binding energies of the Cd 4p, Ag 4p and Ga 3d core-levels, the theoretical and experimental data for the AgCd2GaS4 compound were found to be in agreement to each other. Curves of dominant partial densities of states of AgCd2GaS4 have been compared on a common energy scale with the XP valence-band spectrum of the compound under consideration. ; Рентгенівський фотоелектронний (РФ) спектр валентних електронів монокристалу AgCd2GaS4, вирощеного методом Бріджмена, досліджено в широкому енергетичному інтервалі, котрий уключав спектри внутрішніх електронів, розміщені на відстані аж до ~80 еВ від нижнього краю валентної зони. Електронна структура сполуки AgCd2GaS4 також розрахована «з перших принципів» методом приєднаних плоских хвиль – повного потенціалу (ППХ-ПП). Величини енергій зв’язку (Езв) внутрішніх Cd4p-, Ag4p- i Ga3d-електронів, що отримані теоретично для AgCd2GaS4 за допомогою ППХ-ПП методу, добре збігаються з експериментальними значеннями Езв, котрі виміряні для досліджуваного кристала за допомогою РФ-спектроскопії. Виконано суміщення кривих парціальних щільностей станів складових атомів сполуки AgCd2GaS4 у єдиній енергетичній шкалі з РФ-спектром валентних електронів.

2013-01-01T00:00:00Z Кітик, Іван Мирончук, Галина Парасюк, Олег Данильчук, Сергій Божко, Володимир Замуруєва, Оксана Kituk, Ivan Myronchuk, Galina Parasyuk, Oleg Danylchuk, Sergej Bojko, Volodimyr Zamuruyeva, Oksana https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/5283 2015-06-09T17:25:55Z 2013-01-01T00:00:00Z

Назва: Оптичні властивості кристалів Tl1-xIn1-xSnxS2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5) Автори: Кітик, Іван; Мирончук, Галина; Парасюк, Олег; Данильчук, Сергій; Божко, Володимир; Замуруєва, Оксана; Kituk, Ivan; Myronchuk, Galina; Parasyuk, Oleg; Danylchuk, Sergej; Bojko, Volodimyr; Zamuruyeva, Oksana Короткий огляд (реферат): У статті досліджено кристалічну систему Tl1-xIn1-xSnxS2 (x = 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5), а саме вплив часткового катіонного заміщення іонів In іонами Sn на оптичні характеристики сполук. Розглянуто закономірності зміни оптичних спектрів поглинання в кристалах твердих розчинів від температури й складу. Оцінено ширину забороненої зони сполук для різних температур , прямих і непрямих переходів. Визначено з експериментальної залежності lnα(hν) при різних температурах Eg (0) і αₒ . Розраховано концентрацію заряджених дефектів Nt , відповідальних за експериментально встановлене значення ∆ₒ. ; Тhe influence of partial cationic substitution of In ions by Sn ions on the optical characteristics of the solid solutions Tl1-xIn1-xSnxS2 (x = 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5) has been studied. A comparative analysis of temperature behavior of optical absorption edge over the temperature range from 77 to 300 K is performed for alloys with (x = 0,1; 0,20; 0,3; 0,4; 0,5). The band gap of compounds at different temperatures, for direct and indirect transitions have been estimated. From the experimental dependences lnα (hν) at different temperatures the constants Eg(0) and αₒ in the Urbach rule have been determined. The concentration of charged defects responsible for the experimentally determined value of characteristic energy has been calculated.

2013-01-01T00:00:00Z