DSpace Зібрання:https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/195802026-04-16T23:17:33Z2026-04-16T23:17:33ZЕлектричні властивості кристалів твердих розчинів перерізу Pb4Ga4GeS12-Pb4Ga4GeSe12.Шигорін, Олег ПавловичНовосад, Олексій ВолодимировичПіскач, Людмила Василівнаhttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/304792026-02-13T12:50:38Z2025-12-30T00:00:00ZНазва: Електричні властивості кристалів твердих розчинів перерізу Pb4Ga4GeS12-Pb4Ga4GeSe12.
Автори: Шигорін, Олег Павлович; Новосад, Олексій Володимирович; Піскач, Людмила Василівна
Короткий огляд (реферат): У роботі представлені результати досліджень електричних властивостей кристалів перерізу Pb4Ga4GeS12-Pb4Ga4GeSе12 із вмістом 10, 20, 30, 40 та 50 мол.% Pb4Ga4GeSе12. Дослідження проводились при кімнатній температурі (Т≈300 К). Напівпровідникові сполуки Pb4Ga4GeS12 та Pb4Ga4GeSе12, а також тверді розчини системи Pb4Ga4GeS12-Pb4Ga4GeSе12, кристалізуються в тетрагональній просторовій групі Р–421с. Ці матеріали поєднують властивості класичних напівпровідників, термоелектричних матеріалів і кристалів, перспективних для нелінійно-оптичних застосувань.
Монокристали Pb4Ga4GeS12 належать до напівпровідників p-типу провідності, що зумовлено наявністю вакансій VPb, VGa, VGe, або дефектами заміщення PbGa, PbGe. Натомість тверді розчини Pb4Ga4GeS12-Pb4Ga4GeSе12 із вмістом 10–50 мол.% Pb4Ga4GeSе12 демонструють n-тип провідності. Інверсія типу провідності обумовлюється зменшенням ширини забороненої зони та зростанням концентрації вакансій халькогену (VSe) зі збільшенням частки Pb4Ga4GeSе12.
Немонотонна залежність питомого опору кристалів Pb4Ga4GeS12–Pb4Ga4GeSе12 від вмісту Pb4Ga4GeSе12 пов’язана з різними механізмами провідності. Збільшення питомого опору при введенні в Pb4Ga4GeS12–Pb4Ga4GeSе12 до 10 мол.% Pb4Ga4GeSе12 пояснюється частковою заміною атомів S на Se, що підвищує дефектність кристалічної ґратки та зменшує рухливість носіїв заряду. При подальшому зростанні вмісту Pb4Ga4GeSе12 (понад 20 мол.%) кристалічна решітка поступово стабілізується, набуваючи структури, близької до Pb4Ga4GeSе12, що призводить до зниження питомого опору. Додатково цей ефект посилюється зменшенням ширини забороненої зони, внаслідок чого зменшується енергія активації донорних та акцепторних центрів, полегшуючи термічну іонізацію носіїв заряду.2025-12-30T00:00:00ZТермоелектричні та оптичні властивості кристалів твердих розчинів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12.Новосад, Олексій ВолодимировичШигорін, Олег ПавловичБеллаґра, Хадж КаддурПіскач, Людмила ВасилівнаГомілко, Віктор Вікторовичhttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/285602025-10-01T08:08:43Z2025-04-30T00:00:00ZНазва: Термоелектричні та оптичні властивості кристалів твердих розчинів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12.
Автори: Новосад, Олексій Володимирович; Шигорін, Олег Павлович; Беллаґра, Хадж Каддур; Піскач, Людмила Василівна; Гомілко, Віктор Вікторович
Короткий огляд (реферат): У роботі представлені результати досліджень термоелектричних та оптичних властивостей кристалів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12 із вмістом 10, 20, 30 мол.% Pb4Ga4GeS12.Мета роботи полягала в експериментальному визначенні питомої електропровідності, типу провідності, коефіцієнта Зеєбека, оцінці ширини забороненої зони та розрахунку термоелектричної потужності кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12. Усі дослідження проводились при кімнатній температурі (Т≈300 К). Найвищими значення питомої електропровідності (σ≈170 Ом-1·м-1) володіли зразки твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 з 20 мол.% Pb4Ga4GeS12. Високі значення σ можуть свідчити про стан матеріалів, близький до виродженого. Термоелектричними методами встановлено, що кристали Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12 належать до напівпровідників п-типу провідності. Значення коефіцієнтів Зеєбека становили 205 мкВ/К, 220 мкВ/К, 240 мкВ/К для кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 з 10, 20 та 30 мол.% Pb4Ga4GeS12. Маючи високі значення коефіцієнта Зеєбека, кристали твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 є перспективними матеріалами для виготовлення чутливих термодатчиків. Встановлено, що найвищі значення термоелектричної потужності (α2·σ=8,2·10-6 Вт/м·К2) властиві кристалам Pb4Ga4GeSе12–Pb4Ga4GeS12 з вмістом 20 мол.% Pb4Ga4GeS12.Для оцінки ширини забороненої зони досліджено спектральний розподіл коефіцієнта поглинання світла в області краю фундаментального поглинання. Оцінені із спектрів оптичного поглинання значення ширини забороненої зони становили 1,89 еВ, 1,92 еВ, 1,95 еВ для кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12-Pb4Ga4GeS12 з вмістом 10, 20 та 30 мол.% Pb4Ga4GeS12. Встановлено, що досліджувані кристали є непрямозонними.2025-04-30T00:00:00ZФотоелектричні властивості діодних структур In/CuInS2-ZnIn2S4 та In-Ga/CuInS2-ZnIn2S4Новосад, Олексій ВолодимировичКевшин, Андрій Григоровичhttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/285592025-10-01T07:55:01Z2025-04-30T00:00:00ZНазва: Фотоелектричні властивості діодних структур In/CuInS2-ZnIn2S4 та In-Ga/CuInS2-ZnIn2S4
Автори: Новосад, Олексій Володимирович; Кевшин, Андрій Григорович
Короткий огляд (реферат): У роботі представлені результати досліджень фотовольтаїчних властивостей поверхнево-бар’єрних структур на основі монокристалічних плівок CuInS2–ZnIn2S4, отриманих методами термічного вакуумного напилення напівпрозорих плівок In на поверхню CuInS2–ZnIn2S4 та механічним втиранням In-Ga евтектики в поверхню монокристалічних сколів CuInS2–ZnIn2S4. Напівпрозорі індієві плівки наносили термічним вакуумним напиленням у ВУП-5 при тиску 1,3·10-5 Па і температурі 300 К. Площа поверхні, на яку наносили напівпрозорий шар In, ста-новила ≈3×3 мм2. При освітленні In/CuInS2–ZnIn2S4 з 8 мол. % ZnIn2S4 зі сторони CuInS2–ZnIn2S4 спостерігався один чітко виражений максимум. Енергетичне положення максимума в спектрі фотонапруги відповідає енергії квантів світла hν≈1,53 еВ. При освітленні зразків зі сторони напівпрозорого шару In спостерігалось два максимуми з енергетичним положенням hν≈1,44 еВ та hν≈1,60 еВ. Аналогічні результати були і для діодних структур з 12 мол. % ZnIn2S4. В зразках з 12 мол. % ZnIn2S4 при освітленні зі сторони монокристалічної підложки спостерігалось зміщення максимуму фотонапруги до 1,56 еВ, що добре узгоджується зі зростанням ширини забороненої зони CuInS2–ZnIn2S4 із збільшенням вмісту ZnIn2S4.Найвищими значеннями фотонапруги серед діодних структур In-Ga/CuInS2–ZnIn2S4 мали структури з 12 мол. % ZnIn2S4. При освітленні зі сторони напівпровідникової підложки спостерігався вузький максимум з енергетичним положенням hν≈1,44 еВ. При освітленні зі сторони In–Ga евтектики поряд з максимумом, обумовленим власними оптичними переходами (hν≈1,68 еВ), в довгохвильовій області спостерігалась менш виражена сходинка, обумовлена домішковим поглинанням світла, відповідальними за яке є VCu.Маючи вузькі максимуми в спектрах фотонапруги, структури In(In–Ga)/CuInS2–ZnIn2S4 можна використовувати як вузькосмугові приймачі світла. Енергетичне положення максимумів у спектрах фотонапруги залежить від складу монокристалів CuInS2–ZnIn2S4, від способу одержання двошарової структури та від сторони структури, яка освітлювалась.2025-04-30T00:00:00ZЕкологічні проблеми як моделі квазіодновимірних задач дифузіїШваліковський, Дмитро Миколайовичhttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/273402025-02-12T15:04:10Z2024-01-01T00:00:00ZНазва: Екологічні проблеми як моделі квазіодновимірних задач дифузії
Автори: Шваліковський, Дмитро Миколайович
Короткий огляд (реферат): Аварії під час морських перевезень та незаплановані викиди токсичних речовин традиційно перебувають в центрі уваги екологів та власників торгових суден. Катастрофи із розливом нафтопродуктів завдають значної шкоди довкіллю та вносять довгостроковий негативний фактор у розвиток біоти. Також відомо, що відпрацьовану токсичну речовину захоронюють у контейнерах підвищеної міцності на морському дні. Та все ж великий час їх перебування в морському середовищі (50-70 років) призводить до окислення та руйнування оболонки, спричиняючи виникнення тріщин, через які речовина просочується у воду. В роботі здійснена комп’ютерна симуляція поширення викидів речовин у морській воді, розглянувши відповідні моделі як квазіодновимірні задачі дифузії. Використавши центральну точкову симетрію, функція концентрації речовини редукувалась до залежності від однієї просторової змінної, що дозволило звести розглядувану задачу до вирішення просторово одновимірного диференціального рівняння в частинних похідних з відповідним оператором Лапласа в правій частині. Базовий спосіб розгляду задач – метод скінченних різниць другого порядку точності, засіб розрахунків – відкрита система комп’ютерної алгебри CAS Maxima. В першій задачі розглядається викид токсичної речовини із затопленого контейнера на дні моря, що змодельовано крайовою задачею Робіна (третя крайова задача). Присутність постійного джерела дифундуючої домішки на початку проміжку числового інтегрування дозволила використати прямий двокроковий метод розрахунку; результатом обчислень є часовий розподіл концентрації на поверхні води над контейнером та в її околі протягом однієї доби. В другій задачі розглянуто вилив рідкої речовини поблизу мілкого берега півкруглої форми, що змодельовано крайовою задачею Неймана (друга крайова задача). Нульовий потік домішки на обох краях проміжка інтегрування обумовив методом розв’язання модифіковану непряму схему Кранка-Ніколсона; результатом обчислень є просторовий розподіл граничної концентрації домішки вздовж берегової лінії протягом однієї доби.2024-01-01T00:00:00ZSome problems of modelling Relaxed Optical processes in indium antimonide and indium arsenideTroikhimchuck, Petro PavlovychFedik, B.https://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/271322025-01-13T15:41:59Z2024-10-18T00:00:00ZНазва: Some problems of modelling Relaxed Optical processes in indium antimonide and indium arsenide
Автори: Troikhimchuck, Petro Pavlovych; Fedik, B.2024-10-18T00:00:00ZTo question of creation the white dwarfs theoryTrokhimchuck, Petro Pavlovychhttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/271292025-01-13T15:25:46Z2024-09-26T00:00:00ZНазва: To question of creation the white dwarfs theory
Автори: Trokhimchuck, Petro Pavlovych2024-09-26T00:00:00ZMain Problems of Creation Laser-Induced Thin FilmsTrokhimchuck, Petro Pavlovychhttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/271282025-01-13T14:51:48Z2024-11-25T00:00:00ZНазва: Main Problems of Creation Laser-Induced Thin Films
Автори: Trokhimchuck, Petro Pavlovych2024-11-25T00:00:00ZMain Problems the Creation of Universal Theory the Computer ScienceTrokhimchuck, Petro Pavlovychhttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/271272025-01-13T14:35:18Z2024-10-30T00:00:00ZНазва: Main Problems the Creation of Universal Theory the Computer Science
Автори: Trokhimchuck, Petro Pavlovych
Короткий огляд (реферат): The main problems of the creation of the universal theory of computer science are discussed. Short historical analysis of this question is represented. Issues related to what such a theory should be and what problems it should solve are discussed. The issue of the need to introduce a system approach in information theory is analyzed. It showed that this theory must be variant theory of everything in a global sense and must be theory of open type. We analyzed six criteria, which such theories must satisfy. An example of such a theory is polymetric analysis, a theory of variable measure and hierarchy. This concept includes the procedure for choosing the operating base (mathematical transformations) and the corresponding computational construct (connectedness parameter). Two components of this method theory of informative calculation and the hybrid theory of systems
allow for resolving the main problems of modern computer science. Thus, the theory of information calculations
was used for the some problems of computer arithmetic). The hybrid theory of systems was used for resolution the S. Beer centurial problem in cybernetics (the problem of information complexity) and the classification of information according to its computational complexity. Other questions of application this concept in computer science are discussed too.2024-10-30T00:00:00ZMain Problems of Unification the Basic Laws of Physics and Information Theory. International Journal of PhysicsTrokhimchuck, Petro Pavlovychhttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/270592025-01-08T15:26:19Z2024-04-15T00:00:00ZНазва: Main Problems of Unification the Basic Laws of Physics and Information Theory. International Journal of Physics
Автори: Trokhimchuck, Petro Pavlovych
Короткий огляд (реферат): The main problems of unification the basic laws of physics and information theory are discussed. Next
aspects of this problem: laws, constants and system, are analyzed. The evolution main universal physical
laws from optical Ferma principle to action principle in their historical retrospective is resarched. The
main thermodynamical principles as Carno theorem, Prigogine-Glensdorf principle are reresented. The
impact of the development of physical theories on the emergence and development of systems theory is
shown. According to E. B. de Condillac, any set of connected elements is a system. Moreover, part of
these elements are the principles by which the corresponding system was created. At the same time, the
number of principles should be minimal, and preferably one. Information theory is analyzed on the basis
of its universal principle - Shannon's theorem. The connection between physics and information theory is
shown. For this, the theory of information-physical structures was used. A more universal unification was
obtained from the generalization from L. de Broglie's formula about the equivalence of the amount of
ordered and disordered information. It is shown that on the basis of a dimensionless quantity that can be
interpreted both as a dimensionless action and as a dimensionless entropy, it is possible as a partial case
to obtain the basic universal laws of physics and information theory. In this case, the analogy between
thermodynamic and information entropy becomes more obvious. Further prospects for the development
and application of the proposed methods of unification in in various branches of modern science,
including verbal and non-verbal knowledge systems, are analyzed and discussed. The idea of the
possibility of creating a unified system of knowledge is also expressed2024-04-15T00:00:00ZTo Question about Main Principles and Criteria of Critical Processes and PhenomenaTrokhimchuck, Petro Pavlovychhttps://evnuir.vnu.edu.ua/handle/123456789/262172024-12-08T17:33:36Z2024-07-10T00:00:00ZНазва: To Question about Main Principles and Criteria of Critical Processes and Phenomena
Автори: Trokhimchuck, Petro Pavlovych2024-07-10T00:00:00Z