| Тип | Дата випуску | Дата внесення | Назва | Автор(и) |
| Article | 2012 | 11-чер-2015 | Вплив структурних дефектів технологічного походження на електричні та фотоелектричні властивості твердого розчину CuInSe2 -ZnIn2 Se 4 | Кажукаускас, В.; Новосад, О. В.; Божко, В. В.; Давидюк, Г. Є.; Парасюк, О. В.; Герасимик, О. Р.; Вайнорюс, Н.; Яноніс, В.; Kazukauskas, V.; Novosad, O. V.; Bozhko, V. V.; Davydyuk, H. YE.; Parasyuk, O. V.; Gerasymyk, O. R.; Vainorius, N.; Janonis, V. |
| Article | 2013 | 25-чер-2015 | Довготривала релаксація фотопровідності у твердих розчинах Cu1-xZnxInS2 | Кажукаускас, Вайдотас; Новосад, Олексій; Вайнорюс, Неймантас; Божко, Володимир; Сакавічюс, Андрюс; Козер, Василь; Яноніс, Вітаутас; Божко, Неоніла; Kazukauskas, Vaidotas; Novosad, Oleksiy; Vainorius, Neimantas; Bozhko, Volodymyr; Sakavicius, Andrius; Kozer, Vasyl; Janonis, Vytautas; Bozhko, Neonila |
| Article | 2011 | 6-чер-2015 | Особливості стрибкової низькотемпературної електропровідності твердих розчинів CuInS2 ZnIn2S4 | Кажукаускас, В.; Божко, В. В.; Давидюк, Г. Є.; Новосад, О. В.; Козер, В. Р.; Парасюк, О. В.; Kazhukauskas, V.; Bozhko, V. V.; Davіdyuk, H. Ye.; Novosad, О. V.; Kozer, V. R.; Parasyuk, O. V. |
| Article | 2013 | 21-лип-2015 | Отримання і дослідження твердих розчинів на основі подвійних фосфатів лужних металів та індію | Слободяник, Микола; Нагорний, Павло; Бойко, Роман; Лаврик, Руслан; Заславський, Олександр; Савченко, Дмитро; Петренко, Ольга |
| Article | 2013 | 21-лип-2015 | Політермічний переріз AgIn5S8–GaInS3 | Данилюк, Ірина; Іващенко, Інна; Олексеюк, Іван |
| Article | 2013 | 21-лип-2015 | Система AgGaS2 + GeSe2 AgGaSe2 + GeS2 | Шевчук, Микола |
| Article | 2013 | 21-лип-2015 | Система SbSeI–BiSeI | Віскунець, Людмила; Піскач, Людмила; Олексеюк, Іван; Яковлюк, Галина |
| Article | 2010 | 2-лип-2015 | Системи AgInSe2 – AgGaSe2 та AgInSe2 – Ag9GaSe6 | Олексеюк, І. Д.; Іващенко, І. А.; Данилюк, І. В.; Olekseyuk, I. D.; Ivashchenko, I. A.; Danylyuk, I. V. |
| Article | 2012 | 3-лип-2015 | Фазові рівноваги в системі Ag2CdGeS4–AgCd2GaS4 при 820 К | Марушко, Л. П.; Mаrushkо, L. P. |
